[发明专利]垂直腔表面发射激光器薄晶片弯曲控制有效
| 申请号： | 201810298359.X | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN109687285B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·R·海格布罗姆 | 申请（专利权）人： | 朗美通运营有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 张瑞;杨明钊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 垂直腔表面发射激光器(VCSEL)晶片可以包括：基底层、在基底层上生长的外延层以及应变补偿层，所述应变补偿层用于在VCSEL晶片的变薄之后控制VCSEL晶片的弯曲。应变补偿层可以被布置在基底层的外延侧上。应变补偿层可以通过至少部分地补偿VCSEL晶片的外延层中的压缩应变来控制变薄的VCSEL晶片的弯曲。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 表面 发射 激光器 晶片 弯曲 控制 | ||
【主权项】：
1.一种垂直腔表面发射激光器(VCSEL)晶片，包括：基底层；外延层，所述外延层在所述基底层上；以及应变补偿层，所述应变补偿层用于在所述VCSEL晶片变薄之后控制所述VCSEL晶片的弯曲，其中所述应变补偿层被布置在所述基底层的外延侧上，并且其中所述应变补偿层通过至少部分地补偿所述VCSEL晶片的所述外延层中的压缩应变来控制变薄的VCSEL晶片的弯曲。
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