[发明专利]一种用于磁控直拉单晶的磁体结构及磁控直拉单晶的方法在审
| 申请号： | 201810298489.3 | 申请日： | 2018-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN110129883A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 汤洪明;傅林坚;刘黎明;刘赛波 | 申请（专利权）人： | 杭州慧翔电液技术开发有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B30/04;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 胡彬 |
| 地址： | 310030 浙江省杭州市西湖*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于磁控直拉单晶的磁体结构及磁控直拉单晶的方法，属于半导体制造技术领域，该磁体结构包括多个串联且周向设置于单晶炉外部的线圈，所述线圈呈两两对应设置，且对应设置的两个线圈以单晶炉的中心对称，每一所述线圈包括同轴设置的主线圈和副线圈，线圈通电时，所述主线圈和所述副线圈内的电流方向相反。本发明通过将线圈设置为主线圈和副线圈，并向主线圈和副线圈通入相反方向的电流，使得副线圈产生的磁场能够有效地抵消主线圈在外部产生的磁场，通过主动屏蔽的方式减小了磁体结构的漏磁场。此外，本发明通过采用主动屏蔽的形式减少漏磁场，降低了磁体结构的重量，节省了磁体结构的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 磁体结构 副线圈 直拉单晶 主线圈 磁控 主动屏蔽 单晶炉 漏磁场 磁场 半导体制造技术 电流方向 同轴设置 线圈设置 线圈通电 制造成本 中心对称 周向设置 反方向 有效地 外部 减小 串联 抵消 | ||
【主权项】：
1.一种用于磁控直拉单晶的磁体结构，其特征在于，包括：多个串联且周向设置于单晶炉(10)外部的线圈(1)，所述线圈(1)呈两两对应设置，且对应设置的两个线圈(1)以单晶炉(10)的中心对称，每一所述线圈(1)包括同轴设置的主线圈(11)和副线圈(12)，线圈(1)通电时，所述主线圈(11)和所述副线圈(12)内的电流方向相反。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州慧翔电液技术开发有限公司，未经杭州慧翔电液技术开发有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810298489.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
