[发明专利]晶圆级芯片封装结构及其制作方法

摘要

本发明揭示了一种晶圆级芯片封装结构及其制作方法，制作方法包括在晶圆上芯片的钝化层中形成第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽暴露出金属垫，第二凹槽围绕第一凹槽，并在此基础上形成凸点下金属层和凸点。借助于围绕在第一凹槽周围的第二凹槽，使得刻蚀时，降低了沿芯片表面对第一金属层的侵蚀，并且凸点在回流后能够进入第二凹槽，从而提高剪力，防止脱落，可以确保凸点的大小，获得高质量的凸点。

主权项

1.一种晶圆级芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一芯片，所述芯片形成在晶圆上，所述芯片上形成有金属垫及覆盖所述金属垫和所述芯片的钝化层；在所述钝化层中形成第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽暴露出所述金属垫，所述第二凹槽围绕所述第一凹槽；在所述钝化层和暴露出的所述金属垫上形成第一金属层，所述第一金属层的厚度小于所述第一凹槽的深度；在所述第一金属层上形成光刻胶并在所述光刻胶中形成开口，暴露出所述第一金属层，所述开口范围容纳所述第一凹槽和所述第二凹槽；在所述开口中的第一金属层上形成第二金属层；去除光刻胶并刻蚀未被第二金属层覆盖的所述第一金属层暴露出所述钝化层，刻蚀后的第一金属层和所述第二金属层作为凸点下金属层；以及在所述凸点下金属层上放置焊料球并回流成为凸点。