[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，方法包括：在待刻蚀层上形成第一掩膜材料层，第一掩膜材料层包括阻隔区；在第一掩膜材料层中形成分立的第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽，第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽的延伸方向均平行于第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽之间的排列方向，第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽分别位于所述阻隔区的两侧；在阻隔区暴露出侧壁形成阻挡层；以阻挡层为掩膜刻蚀第一掩膜材料层的部分阻隔区，在第一掩膜材料层阻隔区中形成第一掩膜通孔；之后以阻挡层和第一掩膜材料层为掩膜刻蚀待刻蚀层，在第一掩膜沟槽、第二掩膜沟槽和第一掩膜通孔底部的待刻蚀层中对应形成第一沟槽，第二沟槽和通孔。所述方法使半导体器件的性能提高。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成第一掩膜材料层，第一掩膜材料层包括阻隔区；在第一掩膜材料层中形成分立的第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽，第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽的延伸方向均平行于第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽之间的排列方向，第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽分别位于所述阻隔区的两侧，第一掩膜沟槽和第二掩膜沟槽分别暴露出阻隔区的沿第一掩膜沟槽延伸方向上的两侧侧壁；在所述阻隔区暴露出的侧壁形成阻挡层；以所述阻挡层为掩膜刻蚀第一掩膜材料层的部分阻隔区，在第一掩膜材料层的阻隔区中形成第一掩膜通孔；形成所述第一掩膜通孔后，以所述阻挡层和第一掩膜材料层为掩膜刻蚀所述待刻蚀层，在第一掩膜沟槽底部的待刻蚀层中形成第一沟槽，在第二掩膜沟槽底部的待刻蚀层中形成第二沟槽，在所述第一掩膜通孔底部的待刻蚀层中形成通孔。