[发明专利]一种高稳定性的恒流源产生电路在审

专利信息
申请号: 201810305055.1 申请日: 2018-04-08
公开(公告)号: CN108427473A 公开(公告)日: 2018-08-21
发明(设计)人: 李启同;约翰利斯特;张丽 申请(专利权)人: 李启同
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100871 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及模拟电路技术领域,尤其涉及的是一种高稳定性的恒流源产生电路。本发明提供的一种高稳定性的恒流源产生电路,包括启动电路和恒流源核心电路。该恒流源产生电路在传统恒流源电路的基础上进行了改进,有效地解决了现有技术中恒流源产生电路稳定性差、功耗较高的问题,具有较高的输出稳定性和较低的功耗。
搜索关键词: 恒流源产生电路 高稳定性 功耗 模拟电路技术 恒流源电路 输出稳定性 核心电路 启动电路 恒流源 有效地 改进
【主权项】:
1.一种高稳定性的恒流源产生电路,其特征在于,包括启动电路和恒流源核心电路;所述启动电路包括MOS管M9、M10、M11、M12和电阻R5、R6,所述恒流源核心电路包括MOS管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8以及电阻R1、R2、R3、R4和电容C1,MOS管M9、M10、M11的源极均连接电源电压VDD,M9的栅极与漏极相连并连接电阻R5、R6的一端,MOS管M12的漏极连接电阻R5的另一端,栅极连接电源电压VDD且源极接地;MOS管M11的栅极连接电阻R6的另一端以及M10的漏极;MOS管M3、M4的源极均连接电源电压VDD,栅极相连并连接M10的栅极和M3的漏极;MOS管M5、M6的源极均连接电源电压VDD,栅极相连并连接M6的漏极、M7的漏极以及M8的栅极;MOS管M1的漏极连接M3的漏极,源极通过电阻R1接地,栅极连接M2的栅极、M5的漏极、电容C1的一端和电阻R2的一端,电阻R2的另一端接地,电容C1的另一端连接电阻R4一端,电阻R4的另一端连接M4的漏极、M11的漏极、M2的漏极以及M7的栅极,M2的源极接地,M7的源极通过电阻R3接地;MOS管M8源极连接电源电压VDD,漏极即为恒流源IREF的输出端。
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