[发明专利]静电放电保护装置及其应用

摘要

一种静电放电保护装置，包括形成于基材中且具有相异多数载流子的第一双极晶体管寄生电路和第二双极晶体管寄生电路以及静电放电保护元件。静电放电保护元件具有一个接地端以及一个连接端与第一双极晶体管寄生电路连接。当静电放电电压大于接地电压时，第一电流会经由包含第一双极晶体管寄生电路中的寄生二极管和静电放电保护元件的第一保护电路组合以及包含第一双极晶体管寄生电路和第二双极晶体管寄生电路的第二保护电路组合二者中的一者导入地面。当静电放电电压小于接地电压时，第二电流会经由第一保护电路组合和第二保护电路组合的另一者由地面导入电压源。

主权项

1.一种静电放电(electrostatic discharge，ESD)保护装置，包括：一半导体基材；一第一掺杂阱区，位于该半导体基材之中；一第二掺杂阱区，位于该第一掺杂阱区之中；一第一掺杂区，位于该第二掺杂阱区之中，连接一电压源；一第二掺杂区，位于该第二掺杂阱区之中，与该第一掺杂区隔离，且连接该电压源；一第三掺杂区，位于该第一掺杂阱区之中；一第四掺杂区，位于该半导体基材之中，邻接该第一掺杂阱区，且接地(grounding)；其中该第一掺杂区、该第二掺杂阱区和该第一掺杂阱区形成一第一双极晶体管寄生(Parasitic Bipolar Junction Transistor，BJT)电路；该第二掺杂区、该第一掺杂阱区和该第四掺杂区形成一第二双极晶体管寄生电路；且该第一双极晶体管寄生电路和该第二双极晶体管寄生电路具有相异的多数载流子(majority carrier)；以及一静电放电(electrostatic discharge，ESD)保护元件，具有一接地端以及一连接端，该连接端与该第三掺杂区连接；当该电压源大于一接地电压时，一第一电流经由包含该第一双极晶体管寄生电路中的一寄生二极管和该静电放电保护元件的一第一保护电路组合以及包含该第一双极晶体管寄生电路和该第二双极晶体管寄生电路的一第二保护电路组合二者中的一者导入地面；当该电压源小于该接地电压时，一第二电流经由该第一保护电路组合和该第二保护电路组合的另一者由地面导入该电压源。