[发明专利]LED芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201810306935.0 | 申请日： | 2018-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN108321274A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 李庆;刘佳擎;张振 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（宿迁）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/40;H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈晓敏 |
| 地址： | 223800 江苏省宿迁市经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种LED芯片及其制造方法，LED芯片包括衬底及位于衬底上的LED外延结构，LED芯片还包括位于外延结构上方的透明导电层及钝化层，透明导电层及钝化层的至少其中之一上具有若干开槽。本发明的透明导电层和/或钝化层具有开槽，开槽可以改变光的出射角度，提高光的漫反射几率，进而提升LED芯片的发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 透明导电层 钝化层 开槽 衬底 外延结构 漫反射 出射 制造 发光 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片，包括衬底及位于所述衬底上的LED外延结构，其特征在于，所述LED芯片还包括位于所述外延结构上方的透明导电层及钝化层，所述透明导电层及所述钝化层的至少其中之一上具有若干开槽。
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