[发明专利]一种CVD金刚石厚膜的晶种种植方法有效

专利信息
申请号: 201810307217.5 申请日: 2018-04-08
公开(公告)号: CN108411276B 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 樊巍;范艳芬 申请(专利权)人: 河南佰特科技有限公司
主分类号: C23C16/02 分类号: C23C16/02;C23C16/27
代理公司: 41153 洛阳润诚慧创知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 智宏亮<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 471000 河南省洛阳*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 一种CVD金刚石厚膜的晶种种植方法,涉及金刚石领域,包含如下步骤:首先对钼衬底的表面进行预处理,处理时钼衬底上表面要在抛光机上加入金刚石微粉研磨,将钼衬底表层的碳化钼去除,使表面光滑颜色光亮无划痕,要求不存在钼和碳化钼分层,接着对钼衬底进行细磨,细磨用硬质合金片加入不同粒度的金刚石微粉进行研磨。本发明所述的晶种种植方法弥补了现有技术中CVD金刚石厚膜制造方法尚不规范的空白,且制备的金刚石厚膜具有稳定可靠和沉积速率高等特点,完全能满足实际需求,本发明技术方案简单,适合大范围的推广和应用。
搜索关键词: 衬底 厚膜 晶种 金刚石微粉 研磨 碳化钼 细磨 种植 预处理 衬底上表面 金刚石厚膜 硬质合金片 金刚石 实际需求 抛光机 分层 划痕 沉积 去除 制备 应用 制造
【主权项】:
1.一种CVD金刚石厚膜的晶种种植方法,其特征是:所述晶种种植方法具体包括如下步骤:/n第一步、首先对钼衬底的表面进行预处理,处理时钼衬底上表面要在抛光机上加入金刚石微粉研磨,将钼衬底表层的碳化钼去除,使表面光滑颜色光亮无划痕,要求不存在钼和碳化钼分层;/n第二步、接上步,对钼衬底进行细磨:细磨用硬质合金片加入不同粒度的金刚石微粉进行研磨,具体操作方法为:/nA、首先取1克拉W30-70金刚石微粉均匀撒在钼衬底表面,用橡皮滴管滴入1~5滴水,将硬质合金片压在钼衬底上面轻轻研磨5~20min,然后用水将表面清洗干净,观察表面状况,若存在划痕则要查看硬质合金是否有伤痕,如有则要更换新的硬质合金;/nB、重复进行上面操作两次,分别用W40-60、W30-40研磨两次,两次研磨后达到表面晶种均匀,无划痕;/nC、取1克拉W10-20金刚石微粉均匀撒在钼衬底表面,用橡皮滴管滴入1~5滴水,用硬质合金片进行研磨,直到钼衬底表面光滑,晶种均匀无划痕;/nD、用绒布包裹硬质合金片加入w10-20金刚石微粉进行研磨,直到钼衬底表面光亮,晶种均匀无划痕;/nE、用绒布包裹硬质合金片加入w5-10金刚石微粉进行研磨,直到钼衬底表面光亮,晶种均匀无划痕;/nF、对钼衬底表面清洗,首先将研磨好的钼衬底用洗涤液将表面圬垢清洗干净,然后取适量去离子水倒入清洗盒,将盒放入清洗槽,再将钼衬底上表面浸入清洗盒,此时要求钼衬底表面不能碰到盒底,用超声波清洗,然后用酒精冲洗钼衬底表面并用电吹风吹干;/nG、将清洗好的钼衬底交给质检员进行表面检验,合格后再用电吹风吹1~10min,然后用保鲜膜封好保存。/n
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