[发明专利]一种镍铜镓记忆合金膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种镍铜镓记忆合金膜的制备方法，该方法解决了现有Ni‑Cu‑Ga系列形状记忆合金脆性大，强度低和恢复力小等问题，同时保证合金的马氏体相变温度不至于降得太低，使合金抵御不可恢复应变的能力增强，从而提高了合金强度和恢复率；本发明采用磁控溅射的方法，并采用低温轧制的手段，形成的稀土记忆合膜具有较高的屈服强度，使得膜表面均匀致密、膜基结合强度高、力学性能优良。

主权项

1.一种镍铜镓记忆合金膜的制备方法，该方法包括如下步骤：（1）配料按以下重量份配制混合粉镍粉   56‑65份；铜粉   25‑32份；镓粉   9‑12份镝粉   0.3‑1.2份将混合粉置于不锈钢球磨罐中，注满无水乙醇后密封，在行星式球磨机上球磨3‑4h，球磨中采用的球料比为10∶1，球磨机的转速为400‑500r/min，之后，将球磨好的混合粉取出并置于滤纸上静置6‑8分钟，得到原料粉；（2）制备记忆合金靶材上述原料粉熔炼，熔炼前抽真空到0.5×10‑3‑2×10‑3Pa，再充入氦气至2‑5Pa，开始熔炼，控制熔炼功率在500‑600kW之间；由于中频感应自身的熔炼原理，融化后的金属液体就会在电磁场的作用下流动搅拌，当被融化的金液体倒入模具中，得到试样，待其冷却取出；将试样经线切割和机械抛光去除表面杂质，清洗后封入真空度为10‑2‑10‑1Pa的石英管中，在1050‑1150℃的条件下保温3‑4h，再淬入冰水中得到记忆合金靶材；（3）采用上述合金靶材，使用磁控溅射方法，在基体上形成薄膜状的钛镍钴记忆合金膜：抽真空至10‑4Pa以上，充入氮气，然后再抽真空至10‑4Pa，调整工作电压为500V，溅射占空比65‑68%，开始进行溅射沉积，控制厚度为150‑250μm得到薄膜状的钛镍钴记忆合金膜；启动轧机系统，设定上下轧辊的速比为1.2‑1.5 ，设定每次轧制形变量为2‑3%；设定低速辊的速度为0.05‑0.1m/s，开始钛镍钴记忆合金膜的轧制过程；一次轧制过后，重复进行轧制3‑5次，轧制过程中，保持环境温度为‑30至‑20摄氏度；在150‑200摄氏度进行低温热处理1‑2h，得到产品。