[发明专利]MEMS声学换能器元件和制造MEMS声学换能器元件的方法有效
| 申请号： | 201810307956.4 | 申请日： | 2018-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN108696811B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | M·施泰尔特;H·托伊斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/00 | 分类号： | H04R19/00;H04R31/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本公开涉及一种MEMS声学换能器元件(100)以及一种用于制造这样的MEMS声学换能器元件(100)的方法，其中，所述方法还包括提供第一衬底(200)，其中所述第一衬底(200)具有第一衬底侧(201)、对置的第二衬底侧(202)和布置在所述第一衬底侧(201)上的膜层(203)。另外的方法步骤包括：从所述第二衬底侧(202)起，在对置于所述膜层(203)的第一面部段(221)中实施第一蚀刻，直到第一深度(d |
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| 搜索关键词： | mems 声学 换能器 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造MEMS声学换能器元件(100)的方法，包括以下步骤：提供第一衬底(200)，所述第一衬底具有第一衬底侧(201)、对置的第二衬底侧(202)和布置在所述第一衬底侧(201)上的膜层(203)，从所述第二衬底侧(202)起，在对置于所述膜层(203)的第一面部段(221)中实施第一蚀刻，直到第一深度(d1)，从所述第二衬底侧(202)起，在大于所述第一面部段(221)并且包括所述第一面部段(221)的第二面部段(222)中实施实施第二蚀刻，以便在所述第一面部段(221)中使得所述膜层(203)裸露暴露并且为所述膜层(203)产生背部容积。
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