[发明专利]无络合残留溶剂的9,9-双(6-羟基萘-2-基)芴晶体的制备有效

专利信息
申请号: 201810309148.1 申请日: 2018-04-09
公开(公告)号: CN108586205B 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 田礼彬;陆国元;陆晓峰;苏波;张强 申请(专利权)人: 江苏永星化工股份有限公司
主分类号: C07C37/20 分类号: C07C37/20;C07C37/84;C07C39/17
代理公司: 宿迁市永泰睿博知识产权代理事务所(普通合伙) 32264 代理人: 陈臣
地址: 223800 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明通过低沸点含氯溶剂打浆和真空干燥处理得到无络合残留溶剂的9,9‑双(6‑羟基萘‑2‑基)芴结晶体,热分析测定TGA谱显示无任何络合残溶剂,DSC谱上熔融吸热峰在260‑266℃。X‑粉末衍射(XRPD)分析特征2θ值为:8.3±0.20(48),9.7±0.20(50),17.3±0.20(74),19.3±0.20(100),19.7±0.20(72),20.0±0.20(61),22.6±0.20(48),26.9±0.20(32)。无络合残留溶剂的晶体优点是采用无溶剂缩聚反应工艺制备聚碳酸酯,聚酯和聚酰亚胺等材料时不会导致残留和有毒有害溶剂的释放散逸,污染空气环境,同时不会由于反应中包结溶剂的释放而严重影响聚合物材料的品质性能。
搜索关键词: 络合 残留 溶剂 羟基 晶体 制备
【主权项】:
1.无络合残留溶剂的9,9‑双(6‑羟基萘‑2‑基)芴晶体熔融吸热峰在260‑266℃。
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