[发明专利]一种探测器的金属电极形成方法有效
申请号: | 201810310467.4 | 申请日: | 2018-04-09 |
公开(公告)号: | CN108640080B | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 康晓旭 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;尹一凡 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种探测器的金属电极形成方法,包括:提供一表面已形成敏感材料层图形的探测器结构;在敏感材料层上沉积金属层,将敏感材料层图形的表面、台阶侧壁及其图形以外区域覆盖;在金属层上形成光刻胶图形,并使需要形成金属电极图形的金属层表面区域露出;在露出的金属层表面形成金属氧化物层图形;去除光刻胶图形;以金属氧化物层图形为掩模,去除金属氧化物层图形覆盖区域以外的金属层材料,以形成金属电极。本发明可使得形成探测器金属电极的工艺变得容易控制和实现。 | ||
搜索关键词: | 一种 探测器 金属电极 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种探测器的金属电极形成方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S01:提供一表面已形成敏感材料层图形的探测器结构;步骤S02:在所述敏感材料层上沉积金属层,将敏感材料层图形的表面、台阶侧壁及其图形以外区域覆盖;步骤S03:在所述金属层上形成光刻胶图形,并使需要形成金属电极图形的金属层表面区域露出;步骤S04:在露出的金属层表面形成金属氧化物层图形;步骤S05:去除光刻胶图形;步骤S06:以金属氧化物层图形为掩模,去除金属氧化物层图形覆盖区域以外的金属层材料,以形成金属电极。
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