[发明专利]一种探测器的金属电极形成方法有效

专利信息
申请号: 201810310467.4 申请日: 2018-04-09
公开(公告)号: CN108640080B 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 康晓旭 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;尹一凡
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种探测器的金属电极形成方法,包括:提供一表面已形成敏感材料层图形的探测器结构;在敏感材料层上沉积金属层,将敏感材料层图形的表面、台阶侧壁及其图形以外区域覆盖;在金属层上形成光刻胶图形,并使需要形成金属电极图形的金属层表面区域露出;在露出的金属层表面形成金属氧化物层图形;去除光刻胶图形;以金属氧化物层图形为掩模,去除金属氧化物层图形覆盖区域以外的金属层材料,以形成金属电极。本发明可使得形成探测器金属电极的工艺变得容易控制和实现。
搜索关键词: 一种 探测器 金属电极 形成 方法
【主权项】:
1.一种探测器的金属电极形成方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S01:提供一表面已形成敏感材料层图形的探测器结构;步骤S02:在所述敏感材料层上沉积金属层,将敏感材料层图形的表面、台阶侧壁及其图形以外区域覆盖;步骤S03:在所述金属层上形成光刻胶图形,并使需要形成金属电极图形的金属层表面区域露出;步骤S04:在露出的金属层表面形成金属氧化物层图形;步骤S05:去除光刻胶图形;步骤S06:以金属氧化物层图形为掩模,去除金属氧化物层图形覆盖区域以外的金属层材料,以形成金属电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司,未经上海集成电路研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810310467.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top