[发明专利]一种基于四方相钽铌酸钾晶体的低电压驱动电光调Q开关有效
申请号: | 201810310925.4 | 申请日: | 2018-04-09 |
公开(公告)号: | CN108521070B | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 王旭平;马玲;刘冰;邱程程;王继扬 | 申请(专利权)人: | 山东省科学院新材料研究所 |
主分类号: | H01S3/115 | 分类号: | H01S3/115;H01S3/16 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: |
一种基于四方相钽铌酸钾(KTa1‑xNbxO3;0.4 |
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搜索关键词: | 四方相 钽铌酸钾晶体 电光调Q开关 钽铌酸钾 晶体的 激光器件领域 四分之一波片 低电压驱动 晶体光轴 驱动电压 适用波段 重复频率 激光器 电光 电压低 偏振片 通光 商品化 施加 驱动 制作 | ||
【主权项】:
1.一种基于四方相钽铌酸钾晶体的低电压驱动电光调Q开关,其特征在于:所述钽铌酸钾即KTa1‑xNbxO3晶体为四方相4mm点群,其中0.4<x<0.7;其组成包括:沿激光光路依次放置的偏振片、四方相钽铌酸钾晶体和四分之一波片;其突出特性为:施加在晶体上的四分之一波电压为150‑200V之间,重复频率为1‑1000Hz。
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