[发明专利]修复的掩模结构以及产生的下方图案化结构有效
| 申请号： | 201810311331.5 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN109994382B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张洵渊;谢瑞龙;亓屹 | 申请（专利权）人： | 格芯美国公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及修复的掩模结构以及产生的下方图案化结构。本公开涉及半导体结构，更特别地，涉及切口边缘结构以及制造方法。所述方法包括：形成至少包含半导体层和覆盖层的多个图案化硬掩模叠层；去除所述多个图案化硬掩模叠层的第一图案化硬掩模叠层的一部分和邻近硬掩模叠层的边缘；以及选择性地在所述邻近硬掩模叠层的所述边缘上生长材料。 | ||
| 搜索关键词： | 修复 结构 以及 产生 下方 图案 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：形成至少包含半导体层和覆盖层的多个图案化硬掩模叠层；去除所述多个图案化硬掩模叠层中的第一图案化硬掩模叠层的一部分和邻近硬掩模叠层的边缘；以及选择性地在所述邻近硬掩模叠层的所述边缘上生长材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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