[发明专利]一种半导体激光器芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201810311423.3 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108512035A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 颜建;胡双元;吴文俊;黄勇;米卡·瑞桑 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/042 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 马永芬 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光器芯片及其制作方法，其中半导体激光器芯片包括：双面抛光衬底、激光器外延结构以及太阳能电池外延结构；其中，激光器外延结构设置于双面抛光衬底的正面；太阳能电池外延结构设置于双面抛光衬底的背面；金属热沉，设置于激光器外延结构远离双面抛光衬底的一侧，与激光器外延结构的电极连接；太阳能电池外延结构的P面电极通过金线与金属热沉连接。在双面抛光衬底的正反面分别生长半导体激光器外延结构与太阳能电池外延结构，用金线和热沉实现电气连接，使半导体激光器芯片能够依靠自身结构中的太阳能电池供电，提高器件的集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 外延结构 太阳能电池 双面抛光 半导体激光器芯片 衬底 激光器 金属热沉 金线 半导体激光器 电极连接 电气连接 集成度 正反面 热沉 制作 背面 供电 生长 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器芯片，其特征在于，包括：双面抛光衬底(10)、激光器外延结构(20)以及太阳能电池外延结构(30)；其中，所述激光器外延结构(20)，设置于所述双面抛光衬底(10)的正面；所述太阳能电池外延结构(30)，设置于所述双面抛光衬底的背面；金属热沉(40)，设置于所述激光器外延结构(20)远离所述双面抛光衬底(10)的一侧，与所述激光器外延结构(20)的电极(21)连接；所述太阳能电池外延结构(30)的P面电极(31)通过金线(50)与所述金属热沉(40)连接。
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