[发明专利]制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区

摘要

本发明描述了制造具有区分开的P型和N型区架构的太阳能电池发射极区的方法，以及所得太阳能电池。在一个例子中，背接触太阳能电池包括具有光接收表面和背表面的基板。第一导电类型的第一多晶硅发射极区设置在第一薄介电层上，所述第一薄介电层设置在所述基板的所述背表面上。第二不同导电类型的第二多晶硅发射极区设置在第二薄介电层上，所述第二薄介电层设置在所述基板的所述背表面上。第三薄介电层直接侧向设置在所述第一和第二多晶硅发射极区之间。第一导电触点结构设置在所述第一多晶硅发射极区上。第二导电触点结构设置在所述第二多晶硅发射极区上。

主权项

1.一种制造太阳能电池的交替N型和P型发射极区的方法，所述方法包括：在形成于基板的背表面上的第一薄介电层上形成第一导电类型的第一硅层；在所述第一硅层上形成绝缘层；将所述绝缘层和所述第一硅层图案化，以形成其上具有绝缘顶盖的所述第一导电类型的第一硅区；在所述第一硅区的暴露侧上形成第二薄介电层；在形成于所述基板的所述背表面上的第三薄介电层上，以及在所述第二薄介电层和所述第一硅区的所述绝缘顶盖上，形成第二不同导电类型的第二硅层；将所述第二硅层图案化，以形成所述第二导电类型的隔离第二硅区，以及在所述第一硅区的所述绝缘顶盖上方的所述第二硅层的区域中形成接触开口；将所述绝缘顶盖图案化并穿过所述接触开口以暴露所述第一硅区的部分；形成掩模以仅暴露所述第一硅区的暴露部分和所述隔离第二硅区；在所述第一硅区的所述暴露部分上以及在所述隔离第二硅区上形成金属晶种层；以及将金属层电镀在所述金属晶种层上以形成用于所述第一硅区和所述隔离第二硅区的导电触点。