[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201810312387.2 | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN110364475A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 孙晓峰;秦仁刚;盛拓 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 汪洋;高伟 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成沟槽；使用高密度等离子体化学气相沉积工艺在所述沟槽中填充隔离材料，以形成浅沟槽隔离结构，其中，所述高密度等离子体化学气相沉积工艺依次包括加热阶段和沉积阶段，所述加热阶段所使用的工艺气体中不包含氧气。本发明提供的半导体器件的制造方法，其中高密度等离子体化学气相沉积工艺加热阶段所使用的工艺气体中不包含氧气，避免氧气与沟槽侧壁的半导体衬底发生氧化反应而诱发晶格缺陷，从而避免了器件漏电现象的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度等离子体化学气相沉积 半导体器件 加热阶段 衬底 氧气 半导体 工艺气体 制造 浅沟槽隔离结构 沉积阶段 隔离材料 沟槽侧壁 晶格缺陷 漏电现象 氧化反应 填充 诱发 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成沟槽；使用高密度等离子体化学气相沉积工艺在所述沟槽中填充隔离材料，以形成浅沟槽隔离结构，其中，所述高密度等离子体化学气相沉积工艺依次包括加热阶段和沉积阶段，所述加热阶段所使用的工艺气体中不包含氧气。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810312387.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种陶瓷盘清洗用机械手机构及清洗系统
- 下一篇：一种半导体器件的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
