[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810313033.X | 申请日： | 2018-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN108520864A | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 蒙飞 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，在基底中形成开口，并采用自停止刻蚀工艺在基底中形成空洞，从而实现半导体结构和基底的隔离。本发明实现了将SOI结构嵌入非SOI基底中，例如，可实现将射频结构以SOI结构的形式嵌入到体硅中，保证了射频结构的射频性能。以及，对于器件开发过程而言，避免了需要重新开发电路标准单元库的步骤，从而缩短了制作周期，降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 基底 半导体器件 射频结构 制备 嵌入 半导体结构 标准单元库 开发过程 刻蚀工艺 射频性能 制造成本 制作周期 体硅 电路 开口 空洞 隔离 保证 开发 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：一基底，所述基底中形成有一空洞和多个开口，所述空洞掩埋在所述基底中，所述开口的底部连通所述空洞至所述基底的表面；多个隔离结构，所述隔离结构填充所述开口并延伸形成在所述空洞对应所述开口的区域上；半导体结构，形成在所述基底中并位于所述空洞的上方，并且所述半导体结构形成在相邻的所述开口之间，以通过所述隔离结构和所述空洞隔离所述半导体结构和所述基底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
