[发明专利]制备用于PERC叠瓦组件的太阳能电池片的方法和系统在审

专利信息
申请号: 201810313101.2 申请日: 2018-04-09
公开(公告)号: CN110364578A 公开(公告)日: 2019-10-22
发明(设计)人: 孙俊;尹丙伟;丁士引;周福深 申请(专利权)人: 成都晔凡科技有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/068;H01L31/0687;H01L31/18
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 刘迎春;王春俏
地址: 610041 四川省成都市高新区*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及一种制备用于PERC叠瓦组件的太阳能电池片的方法,包括以下步骤:提供硅片步骤,提供硅片作为制备太阳能电池片的原料;扩散制结步骤,在硅片上形成N型半导体和P型半导体的交界面,即PN结;背钝化步骤,在硅片的背面施加一层背钝化膜;镀背面保护膜步骤,通过PECVD方法在背钝化膜上沉积一层保护膜;激光刻槽步骤,通过激光烧蚀在背钝化膜和背面保护膜中开槽,露出硅片;丝网印刷步骤,其中,使用贵金属浆料对硅片的正面进行丝网印刷,得到主栅线和副栅线;仅使用铝浆对硅片的背面进行丝网印刷,实现太阳能电池片的铝背场覆盖;以及快速烧结步骤,形成欧姆接触,能够收集和对外传导光生载流子。本发明还涉及用于PERC叠瓦组件的太阳能电池片。
搜索关键词: 硅片 太阳能电池片 背面 保护膜 钝化膜 瓦组件 制备 丝网印刷 丝网印刷步骤 光生载流子 钝化步骤 激光刻槽 激光烧蚀 快速烧结 扩散制结 欧姆接触 贵金属 副栅线 交界面 铝背场 主栅线 沉积 传导 浆料 开槽 铝浆 施加 覆盖
【主权项】:
1.一种制备用于PERC叠瓦组件的太阳能电池片的方法,包括以下步骤:提供硅片步骤,提供硅片作为制备所述太阳能电池片的原料;扩散制结步骤,在所述硅片中形成N型半导体和P型半导体的交界面,即PN结;背钝化步骤,通过PECVD或者ALD工艺在所述硅片的背面施加一层背钝化膜;镀背面保护膜步骤,通过PECVD方法在所述背钝化膜上沉积一层保护膜;激光刻槽步骤,通过激光烧蚀在所述背钝化膜和所述背面保护膜中开槽,露出硅片;丝网印刷步骤,其中,使用贵金属浆料对所述硅片的正面进行丝网印刷,得到主栅线和副栅线;仅使用铝浆对所述硅片的背面进行丝网印刷,实现所述太阳能电池片的铝背场覆盖;以及快速烧结步骤,形成欧姆接触,能够收集和对外传导光生载流子。
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