[发明专利]接合材料和接合构造体在审

专利信息
申请号: 201810314557.0 申请日: 2014-02-07
公开(公告)号: CN108569908A 公开(公告)日: 2018-09-25
发明(设计)人: 儿玉一宗;内藤孝;藤枝正;泽井裕一;青柳拓也;宫城雅德 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: C04B37/02 分类号: C04B37/02;C03C27/04;C03C12/00;C03C8/24;B32B7/04;B32B15/00;B32B17/00;H01L23/29
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供接合材料和接合构造体。本发明解决的技术问题是不进行金属化处理,而在软钎料程度的处理温度下接合陶瓷、半导体、玻璃等基材。接合构造体具备:第一基材;第二基材;和将第一基材和第二基材接合的接合材料层,第一基材为陶瓷、半导体和玻璃中的任一种基材,接合材料层包含金属和氧化物,氧化物包含玻璃组合物,该玻璃组合物含有Ag、V和Te,且按氧化物换算V2O5、TeO2和Ag2O的合计含量为85质量%以上、不到100质量%,在第一基材与金属之间的至少一部分存在氧化物,在金属中分散有氧化物,在第一基材与金属之间存在的氧化物的厚度为100nm以下。
搜索关键词: 基材 氧化物 接合构造体 金属 玻璃组合物 接合材料层 接合材料 半导体 陶瓷 金属化处理 玻璃 基材接合 接合 软钎料 种基材 换算
【主权项】:
1.一种接合构造体,其特征在于,具备:第一基材;第二基材;和将所述第一基材和所述第二基材接合的接合材料层,所述第一基材为陶瓷、半导体和玻璃中的任一种基材,所述接合材料层包含金属和氧化物,所述氧化物包含玻璃组合物,该玻璃组合物含有Ag、V和Te,且按氧化物换算V2O5、TeO2和Ag2O的合计含量为85质量%以上、不到100质量%,在所述第一基材与所述金属之间的至少一部分存在所述氧化物,在所述金属中分散有所述氧化物,在所述第一基材与所述金属之间存在的所述氧化物的厚度为100nm以下。
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