[发明专利]一种用于输入输出端口和电源钳位的SCR器件

摘要

本发明属于集成电路的静电放电(ESD：Electrostatic Discharge)保护领域，具体提供一种用于输入输出端口和电源钳位的SCR器件，用以同时实现保护输入输出端口和电源钳位；本发明SCR器件包括1个主泄放器件和1个辅助控制器件，其中，辅助控制器件作为控制主泄放器件的开关，辅助控制器件在正常工作时使主泄放器件关断，不影响被保护电路的正常工作；在ESD事件到来时，辅助控制器件使主泄放器件导通，泄放ESD电流；同时，通过设计内部的RC通路的参数，能够降低主泄放器件的触发电压，且该触发电压可调制。

主权项

1.一种用于输入输出端口和电源钳位的SCR器件，包括1个主泄放器件和1个辅助控制器件；其中，所述的主泄放器件包括第一种导电类型硅衬底、硅衬底上形成的相邻接的第二种导电类型阱区A和第一种导电类型阱区A；所述第二种导电类型阱区A内设有均与SCR阳极相连的第二种导电类型重掺杂区A和第一种导电类型重掺杂区A；所述第一种导电类型阱区A内设有均与SCR阴极相连的第二种导电类型重掺杂区B和第一种导电类型重掺杂区B，且第二种导电类型阱区A的硅表面上无源区域或有源区域设有覆盖多晶硅层栅氧化层区A；所述第二种导电类型阱区A和第一种导电类型阱区A之间跨接一个第二种导电类型重掺杂区C，所述第二种导电类型重掺杂区C和第二种导电类型重掺杂区B之间的硅表面上设有栅氧化层区B；其特征在于，所述的辅助控制器件包括第一种导电类型硅衬底、硅衬底上形成的第二种导电类型阱区B；所述第二种导电类型阱区B内依次设有第一种导电类型重掺杂区C、第一种导电类型重掺杂区D和第二种导电类型重掺杂区D；所述第一种导电类型重掺杂区C与第一种导电类型重掺杂区D之间设有栅氧化层区C，所述栅氧化层区C上覆盖有多晶硅层、并与被保护电路的电源VDD相连；所述第一种导电类型重掺杂区D和第二种导电类型重掺杂区D相连作为辅助控制器件的阴极，所述栅氧化层A上覆盖有多晶硅层、且与辅助控制器件的阴极相连；所述第一种导电类型重掺杂区C为辅助控制器件的阳极，所述栅氧化层B上覆盖有多晶硅层、且与辅助控制器件的阳极相连。