[发明专利]包括静电释放保护电路的半导体集成电路设备有效
申请号: | 201810315330.8 | 申请日: | 2018-04-10 |
公开(公告)号: | CN108987385B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 李昌挥;孙姬贞;郑起龙;李承烨 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 李少丹;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种半导体集成电路设备可以包括焊盘、第一电压保护单元和第二电压保护单元。第一电压保护单元可以与焊盘连接。第一电压保护单元可以被配置为当可以从焊盘施加具有负电平的测试电压时维持关断状态。第二电压保护单元可以连接在第一电压保护单元与接地端子之间。当可以从焊盘施加具有正电平的静电电压时,第二电压保护单元可以被导通。第二电压保护单元可以包括多个彼此串联连接的正栅极P沟道金属氧化物半导体(GPPMOS)晶体管。 | ||
搜索关键词: | 包括 静电 释放 保护 电路 半导体 集成电路 设备 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路设备,包括:焊盘;与焊盘连接的第一电压保护单元,所述第一电压保护单元被配置为当从焊盘施加具有负电平的电压时维持关断状态;以及连接在第一电压保护单元与电压端子之间的第二电压保护单元,所述第二电压保护单元被配置为当从焊盘施加静电电压时被导通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的