[发明专利]一种高通量的单色晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 201810315924.9 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN108707968A | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 洪振;刁千顺;张小威;袁清习;盛伟繁;石泓;郑黎荣;姜永诚;刘旭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | C30B31/22 | 分类号： | C30B31/22 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 司立彬 |
| 地址： | 100049 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高通量的单色晶体及其制备方法。本发明的单色晶体的材料为不完美单晶硅，其制备方法为：将选取的太阳能级单晶硅加工为channel‑cut型的晶体；或者选取两完美单晶硅，并对其表面进行离子注入，分别在每一完美单晶硅的表面形成一具有μm量级离子注入层，将两块晶体以平行的方式放置，其中所述离子注入层为单色晶体工作面。本发明首次将不完美单晶硅应用于同步辐射领域；本发明利用不完美单晶硅制备出高通量的单色晶体，为单色器的材料选择提供一种新的思路。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制备 高通量 离子注入层 太阳能级单晶硅 表面形成 材料选择 方式放置 同步辐射 单色器 晶体的 离子 平行 加工 应用 | ||
【主权项】：
1.一种高通量的单色晶体，其特征在于，单色晶体的材料为不完美单晶硅。
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