[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201810316185.5 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN109585551B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 陈维邦;郑志成;张简旭珂;郭廷晃 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种半导体结构及其制造方法。一种具有不同栅极间距的半导体结构的非对称临界多间距布局，以减轻栅极间的寄生电容，从而改善截止频率。半导体结构可以包括鳍片于基板上。半导体结构还可以包括形成在鳍片上并被第一间隔分隔的第一栅极结构和第二栅极结构。半导体结构还可以包括在第一栅极结构与第二栅极结构之间的鳍片上形成的第三栅极结构。第三栅极结构可以与第一栅极结构分隔第二间隔并与第二栅极结构分隔大于第二间隔的第三间隔。半导体结构还包括形成在第一栅极结构与第三栅极结构之间的源极区域和形成在第三栅极结构与第二栅极结构之间的漏极区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一基板，其上设置有一或多个鳍片；一第一栅极结构，其设置于该一或多个鳍片上；一第二栅极结构，其设置于该一或多个鳍片上，并与该第一栅极结构分隔至少一第一间隔；一第三栅极结构，其设置于该一或多个鳍片上，使得该第二栅极结构位于该第一栅极结构与该第三栅极结构之间，其中该第三栅极结构与该第二栅极结构分隔至少一第二间隔，且该第二间隔大于该第一间隔；一源极区域，其形成于该第一栅极结构与该第二栅极结构之间的该一或多个鳍片的一部分中；以及一漏极区域，其形成于该第二栅极结构与该第三栅极结构之间的该一或多个鳍片的一部分中。
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