[发明专利]一种低剂量X射线激活的长余辉纳米材料及其应用在审
| 申请号： | 201810316249.1 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN108315009A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 杨黄浩;林夏辉;宋良;李娟 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/06;C09K11/62;A61K41/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低剂量X射线激活的长余辉纳米材料及其应用。其是先合成新的钨、铬双掺杂的长余辉纳米粒子ZnGa2O4:W,Cr，然后对所得长余辉纳米粒子表面进行氨基化处理，再在其表面修饰光敏剂，制得所述长余辉纳米材料。所得长余辉纳米材料具有长余辉发光特性及强发光强度，可通过低剂量X射线激活，且其可克服传统光敏剂因穿透力不足、不能进行深层组织光动力治疗的局限，实现对深层组织的光动力治疗，并能提高光动力治疗效果。 | ||
| 搜索关键词： | 长余辉 纳米材料 光动力治疗 低剂量 深层组织 光敏剂 纳米粒子表面 氨基化处理 长余辉发光 表面修饰 纳米粒子 穿透力 双掺杂 应用 合成 局限 | ||
【主权项】：
1.一种低剂量X射线激活的长余辉纳米材料，其特征在于；其制备方法包括以下步骤：1）合成钨、铬双掺杂的长余辉纳米粒子；2）对所得长余辉纳米粒子表面进行氨基化处理；3）在氨基化的长余辉纳米粒子表面修饰光敏剂。
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