[发明专利]一种铜金属互连电迁移测试结构及其测试方法有效
| 申请号： | 201810316625.7 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN108573890B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 钱鹏飞;郑仲馗;陈雷刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201200 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铜金属互连电迁移测试结构，包括一金属线，水平设置，包括；多个上层金属层，水平设置于所述金属线的上层；多个下层金属层，水平设置于所述金属线的下层；多个上层金属层连接通孔，分别连接所述上层金属层和金属线；多个下层金属层连接通孔，分别连接所述下层金属层和金属线；多个连接线，分别一端连接所述上层金属层或下层金属层；多个金属板。还公开了一种铜金属互连电迁移测试结构的测试方法。根据本发明的铜金属互连电迁移测试结构的测试结果设计出较符合工艺制程的测试结构，很好地监控金属线上端开通孔工艺对于后段金属互连结构的影响，从而改善阻挡层或者后段铜金属互连工艺，降低产品量产的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 互连 迁移 测试 结构 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铜金属互连电迁移测试结构，其特征在于：包括一金属线，水平设置，包括；多个上层金属层，水平设置于所述金属线的上层；多个下层金属层，水平设置于所述金属线的下层；多个上层金属层连接通孔，分别连接所述上层金属层和金属线；多个下层金属层连接通孔，分别连接所述下层金属层和金属线；多个连接线，分别一端连接所述上层金属层或下层金属层；多个金属板，分别设置至少两个金属板连接于同一连接线的另一端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
