[发明专利]一种选择性接触晶体硅异质结太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201810319531.5 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN108389929A | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 黄仕华;王佳;黄玉清;芮哲 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/074 | 分类号： | H01L31/074;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 朱枫 |
| 地址： | 321004 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种选择性接触晶体硅异质结太阳能电池及其制备方法，电池结构分为若干层，自上而下为：Ag/ITO/MoOx/SiOy/n‑c‑Si/SiOy/LiFz/Al；制备时：利用硝酸氧化法在硅片前后表面生长一层超薄SiOy层(1.0～1.3nm)，然后在硅片正面依次生长MoOx、ITO、Ag，硅片背面依次生长LiFx和Al。本发明分别利用MoOx的高功函数、LiFz的低功函数特性弯曲MoOx/c‑Si和LiFz/c‑Si异质结能带，实现对光生载流子进行选择性分离。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 异质结太阳能电池 选择性接触 晶体硅 光生载流子 硝酸氧化法 选择性分离 表面生长 低功函数 电池结构 高功函数 硅片背面 硅片正面 异质结 生长 硅片 | ||
【主权项】：
1.一种选择性接触晶体硅异质结太阳能电池，其特征在于：电池结构分为若干层，自上而下为：Ag/ITO/MoOx/SiOy/n‑c‑Si/SiOy/LiFz/Al，其中Ag为金属银，ITO为掺锡氧化铟透明导电薄膜，MoOx为氧化钼，x＝2.3～3.0，SiOy为氧化硅，y＝1.5～2.0，n‑c‑Si为n型单晶硅，LiFz为氟化锂，z＝0.8～1.0，Al为金属铝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
