[发明专利]积项和加速器阵列有效
申请号: | 201810320267.7 | 申请日: | 2018-04-11 |
公开(公告)号: | CN110047540B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 林昱佑;李峰旻 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/02 | 分类号: | G11C16/02;G11C16/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: |
一种用于产生积项和数据的装置,其包括可变电阻单元的阵列,该阵列中的每个可变电阻单元包括并联连接的可编程阈值晶体管以及电阻器,该阵列包括n个单元行,该n个单元行包括串联连接的单元串以及m个单元列。控制和偏压电路耦接该阵列,该控制和偏压电路包括使用对应于相应单元的权重因子W |
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搜索关键词: | 加速器 阵列 | ||
【主权项】:
1.一种用于产生积项和的装置,包括:可变电阻单元的阵列,该阵列中的每个可变电阻单元包括并联连接的可编程阈值晶体管以及电阻器,该阵列包括n个单元行,该n个单元行包括串联连接的单元串以及m个单元列;控制和偏压电路,耦接该阵列,该控制和偏压电路包括使用对应于相应单元的权重因子Wmn的阈值来编程该阵列中该可编程阈值晶体管的逻辑;m个输入驱动器,耦接该m个单元列中的对应单元列,该m个输入驱动器选择性地施加输入Xm至该m个单元列;n个行驱动器,将电流In施加到该n个单元行中的对应单元行;以及电压感测电路,操作地耦接至该n个单元行。
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