[发明专利]一种基于高能球磨法制备AWO4单相陶瓷的方法在审
| 申请号： | 201810322168.2 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN108298982A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 程琳 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | C04B35/495 | 分类号： | C04B35/495;C04B35/626;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西安研创天下知识产权代理事务所(普通合伙) 61239 | 代理人： | 杨凤娟 |
| 地址： | 710064 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于高能球磨法制备AWO4单相陶瓷的方法，包括如下步骤：S1、通过高能球磨法在30 min内制备AWO4(A=Ca,Ba)单相粉体；S2、将所得的AWO4(A=Ca,Ba)单相粉体经过30 h球磨后，细化得到110~120 nm大小的纳米粉体；S3、将所得的纳米粉体在900~1000 oC下低温制备出高致密度的AWO4(A=Ca,Ba)单相陶瓷。本发明首次仅采用高能球磨工艺制备AWO4粉体，制备所得的单纯陶瓷的致密度极好，且具有较好的微波介电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 单相陶瓷 高能球磨 单相粉体 纳米粉体 制备 微波介电性能 高能球磨法 低温制备 工艺制备 粉体 球磨 细化 陶瓷 | ||
【主权项】：
1.一种基于高能球磨法制备AWO4单相陶瓷的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、通过高能球磨法在30 min内制备AWO4 (A = Ca, Ba)单相粉体；S2、将所得的AWO4 (A = Ca, Ba)单相粉体经过30 h球磨后，细化得到110~120 nm大小的纳米粉体；S3、将所得的纳米粉体在900 ~1000 oC下低温制备出高致密度的AWO4 (A = Ca, Ba)单相陶瓷。
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