[发明专利]一种晶圆键合方法在审
| 申请号： | 201810322837.6 | 申请日： | 2018-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN108493099A | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 邹文;胡胜 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆键合方法，所述晶圆键合方法通过在提供第一晶圆和第二晶圆的步骤之后，在将所述第一晶圆的正面和所述第二晶圆的正面相键合的步骤之前，增加一预处理工艺的步骤，所述预处理工艺可以减少(甚至去除)所述第一晶圆和/或所述第二晶圆的残留物，从而，在将所述第一晶圆的正面和所述第二晶圆的正面相键合的步骤中，能够改善(降低)晶圆键合空洞缺陷率，降低产品的整体缺陷率，提升产品性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 预处理工艺 晶圆键合 键合 圆键 种晶 产品性能 空洞缺陷 缺陷率 去除 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；对所述第一晶圆进行预处理工艺以减少所述第一晶圆的残留物，和/或，对所述第二晶圆进行预处理工艺以减少所述第二晶圆的残留物；将所述第一晶圆的正面和所述第二晶圆的正面相键合。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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