[发明专利]OLED薄膜封装工艺及OLED薄膜封装系统

摘要

本发明提供了一种OLED薄膜封装系统，用于封装OLED器件，包括原子层沉积技术装置、待封装OLED器件、掩膜板以及放置于所述掩膜板上方的照射源。所述待封装OLED器件包括基板及OLED层。所述掩膜板包括镂空部和遮盖部，所述镂空部包括用以在所述基板上形成薄膜封装层的开孔，所述基板上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域。所述遮盖部用以遮盖所述基板的非薄膜封装区域，所述遮盖部设有通孔，且在所述掩膜板与所述基板对位时，所述通孔与所述基板的Bonding区相对应。使用该OLED薄膜封装系统的OLED薄膜封装工艺使用照射源通过所述通孔照射Bonding区以分解Bonding区的前驱体，使得Bonding区的原子层沉积反应无法进行，阻止了Bonding区的薄膜生长，简化了工艺过程，降低了生产成本。

主权项

1.一种OLED薄膜封装工艺，用于封装OLED器件，所述OLED器件包括基板及OLED层，所述OLED薄膜封装工艺包括如下步骤：S1，将待封装OLED器件置于原子层沉积技术装置中；S2，提供掩膜板，所述掩膜板包括镂空部和遮盖部，所述镂空部包括用以在所述基板上形成薄膜封装层的开孔，所述基板上形成薄膜封装层的区域为薄膜封装区域，所述遮盖部用以遮盖所述基板的非薄膜封装区域，所述遮盖部设有通孔，将所述掩膜板与所述基板相对放置，当所述掩膜板与所述基板对位时，所述通孔与所述基板的Bonding区相对应；S3，提供照射源，所述照射源通过所述通孔照射所述Bonding区；S4，向原子层沉积技术装置中通入前驱体；S5，向原子层沉积技术装置中通入等离子气体，在所述基板的薄膜封装区域沉积薄膜封装层，所述Bonding区无薄膜封装层生成。