[发明专利]低比表面积亚微米氧化铝的制备方法有效
| 申请号： | 201810324418.6 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN108715650B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 郭庆;杨强 | 申请（专利权）人： | 雅安百图高新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C08K9/00 | 分类号： | C08K9/00;C08K3/22;C08J7/06;C09C1/40;C09C3/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 625100 四川省雅安市名山*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了低比表面积亚微米氧化铝的制备方法，其特征在于包含以下步骤：S1.原料挑选：取用市场上常规的煅烧氧化铝，晶型为α晶型，氧化铝含量大于99%；S2.研磨：采用湿法球磨工艺将煅烧氧化铝研磨至中位粒径0.1~1μm；S3.干燥：将湿法研磨的氧化铝进行干燥，除去水分；S4.低温煅烧：将干燥后氧化铝于900~1200℃条件下进行煅烧；S5.破碎：采用干法破碎工艺对低温煅烧的氧化铝进行破碎，即将低温煅烧后产品解聚为亚微米尺度，以原晶粒形式存在，得到成品。本发明提供了一种简单易行，产品质量稳定的可规模化生产的低比表面积亚微米氧化铝的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 表面积 微米 氧化铝 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.低比表面积亚微米氧化铝的制备方法，其特征在于包含以下步骤：S1.原料挑选取用市场上常规的煅烧氧化铝，晶型为α晶型，氧化铝含量大于99%；S2.研磨采用湿法球磨工艺将煅烧氧化铝研磨至中位粒径0.1~1μm；S3.干燥将湿法研磨的氧化铝进行干燥，除去水分；S4.低温煅烧将干燥后氧化铝于900~1200℃条件下进行煅烧；S5.破碎采用干法破碎工艺对低温煅烧的氧化铝进行破碎，即得到成品。
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