[发明专利]保护MEMS单元免受红外线检查的方法和MEMS单元在审
申请号: | 201810325459.7 | 申请日: | 2018-04-12 |
公开(公告)号: | CN108726471A | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | M.库尔齐克;O.维勒斯;S.齐诺贝尔;U.孔茨 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | B81B7/02 | 分类号: | B81B7/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 臧永杰;申屠伟进 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 提出一种用于保护MEMS单元、尤其是MEMS传感器免遭红外线检查的方法,其中所述MEMS单元的至少一个区域被掺杂,并且其中至少一个经掺杂的所述区域将多于50%的、尤其是多于90%的入射到所述区域上的红外线光吸收、反射或漫散射。 | ||
搜索关键词: | 红外线检查 红外线光 掺杂的 漫散射 入射 反射 掺杂 吸收 | ||
【主权项】:
1.一种用于保护MEMS单元(1)、尤其是MEMS传感器免遭红外线检查的方法,其中所述MEMS单元(1)的至少一个区域(16)被掺杂,其中至少一个经掺杂的所述区域将多于50%的、尤其是多于90%的入射到所述区域上的红外线光吸收、反射或漫散射。
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