[发明专利]培养基及其在中央记忆型T淋巴细胞培养中的应用有效
| 申请号： | 201810325698.2 | 申请日： | 2018-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN108486055B | 公开（公告）日： | 2020-10-30 |
| 发明（设计）人： | 孙忠杰;陈立功;郭潇;薛庆磊;左慧晶;刘庆军;马骏凡 | 申请（专利权）人： | 诺未科技（北京）有限公司;保定诺未科技有限公司 |
| 主分类号： | C12N5/0783 | 分类号： | C12N5/0783 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 温可睿;赵青朵 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及干细胞培养技术领域，尤其涉及培养基及其在中央记忆型T淋巴细胞培养中的应用。本发明提供的培养基由基础培养基、mTOR抑制剂、白细胞介素‑2、白细胞介素‑7、白细胞介素‑12、白细胞介素‑15、白细胞介素‑1a、Anti‑CD3抗体和Anti‑CD28抗体组成。本发明培养基和培养方法可以提供高数量和比例的中央记忆型T淋巴细胞，实验表明，使用本发明提供的培养基可以扩增TCM达约100倍，在培养的20天中，第20天细胞数量最多，而第12天(样本B)TCM细胞的纯度最高。 | ||
| 搜索关键词： | 培养基 及其 中央 记忆 淋巴 细胞培养 中的 应用 | ||
【主权项】：
1.mTOR抑制剂在中央记忆型T淋巴细胞分离培养中的应用。
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