[发明专利]一种量子点光电探测器的制备方法有效

专利信息
申请号: 201810326767.1 申请日: 2018-04-12
公开(公告)号: CN108550706B 公开(公告)日: 2020-02-21
发明(设计)人: 陈蓉;向勤勇;单斌;曹坤;周彬泽;姜晨晨 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/42
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 张彩锦;曹葆青
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明属于光学材料制备领域,并具体公开了一种量子点光电探测器的制备方法,包括如下步骤:S1制备配体气氛:将有机物配体溶于溶剂中以形成配体溶液,使配体溶液以气体的形式充满整个密闭空间,进而制备获得配体气氛;S2制备量子点气体钝化薄膜:在基底上制备量子点薄膜,并将制备有量子点薄膜的基底放置在步骤S1制备的配体气氛中,以使配体气氛中的有机物配体钝化量子点表面;S3制备量子点光电探测器电极:最后在已钝化的量子点薄膜表面制备电极以制备获得量子点光电探测器。本发明能够大大减少暗电流的产生,且有机配体的钝化更加均匀,有利于光电探测器的大规模生产,节省有机配体。
搜索关键词: 一种 量子 光电 探测器 制备 方法
【主权项】:
1.一种量子点光电探测器的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1制备配体气氛:将有机物配体溶于溶剂中以形成配体溶液,使配体溶液以气体的形式充满整个密闭空间,进而制备获得配体气氛;S2制备量子点气体钝化薄膜:在基底上制备量子点薄膜,并将制备有量子点薄膜的基底放置在步骤S1制备的配体气氛中,以使配体气氛中的有机物配体钝化量子点表面;S3制备量子点光电探测器电极:最后在已钝化的量子点薄膜表面制备电极以制备获得量子点光电探测器。
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