[发明专利]制备SiC单晶的方法有效
| 申请号： | 201810328146.7 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108728897B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | 新谷尚史;滨口优;山形则男;美浓轮武久 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B19/04 | 分类号： | C30B19/04;C30B19/12;C30B29/36 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 李跃龙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备SiC单晶的方法。通过布置籽晶与在坩埚中的Si‑C熔液接触并使SiC单晶从籽晶生长的熔液法来制备SiC单晶。该方法包括使用构成籽晶的SiC单晶的(0001)或(000‑1)平面作为生长表面进行晶体生长的第一生长步骤和使用得自第一生长步骤的SiC单晶的(1‑100)或(11‑20)平面作为生长表面进行晶体生长的第二生长步骤。获得了高均匀性和品质的SiC单晶，其在贯通螺位错、贯通刃位错、基面位错、微管和堆垛层错方面得到减少。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 sic 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过布置籽晶与在坩埚中的Si‑C熔液接触并使SiC单晶从籽晶生长的熔液法来制备SiC单晶的方法，所述方法包括：使用构成籽晶的SiC单晶的(0001)或(000‑1)平面作为生长表面进行晶体生长的第一生长步骤，和使用得自第一生长步骤的SiC单晶的(1‑100)或(11‑20)平面作为生长表面进行晶体生长的第二生长步骤。
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