[发明专利]存储器装置及其制造方法

摘要

本发明提出了一种存储器装置及其制造方法。存储器装置包括基板、多个第一栅极结构、第一介电层、第二介电层、第三介电层及接触插塞。这些第一栅极结构形成于阵列区的基板上。第一介电层形成于第一栅极结构的顶表面及侧壁上。第二介电层形成于第一介电层上且与第一介电层直接接触。第二介电层与第一介电层为相同材料。第三介电层形成于第一栅极结构之间，且定义出暴露出基板的多个接触孔。接触插塞填入上述接触孔中。

主权项

1.一种存储器装置，其特征在于，包括：一基板；多个第一栅极结构，形成于该基板上；一第一介电层，形成于该些第一栅极结构的顶表面及侧壁上；一第二介电层，形成于该第一介电层上，其中该第二介电层与该第一介电层直接接触，且该第二介电层与该第一介电层为相同材料；一第三介电层，形成于该些第一栅极结构之间，且定义出暴露出该基板的多个接触孔；以及一接触插塞，填入该些接触孔中，其中，该存储器装置具有一阵列区及一周边区，该些第一栅极结构形成于该阵列区中。