[发明专利]一种基于纳米压印图形化ITO Mesh的LED芯片制备工艺在审
| 申请号： | 201810330325.4 | 申请日： | 2018-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN108428769A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 李明;张放心;张昕昱;刘文 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学先进技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 合肥市长远专利代理事务所(普通合伙) 34119 | 代理人： | 段晓微 |
| 地址： | 230088 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于纳米压印图形化ITO Mesh的LED芯片制备工艺，所述工艺包括如下步骤：利用纳米压印技术制作出纳米级的Mesh图形，打掉底胶，露出GaN，溅射ITO，去除压印胶，得到图形化ITO Mesh。本发明提出的纳米压印和常温溅射ITO工艺省去了湿法蚀刻步骤，可以解决孔洞尺寸不易控制的问题。由于具有纳米级Mesh图形的ITO透明导电层理论上比微米级的电流扩散效率更高，所以该方法不仅能提升LED芯片的发光强度，而且省去了湿法蚀刻所用的药水，此外还可以减少相应的清洗台设备用量，降低了LED芯片生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米压印图形 湿法蚀刻 制备工艺 溅射 孔洞 电流扩散效率 纳米压印技术 出纳米级 纳米压印 设备用量 纳米级 清洗台 图形化 微米级 压印胶 药水 底胶 去除 生产成本 制作 | ||
【主权项】：
1.一种基于纳米压印图形化ITO Mesh的LED芯片制备工艺，其特征在于，所述工艺包括图形化ITO Mesh的制备，所述图形化ITO Mesh的制备方法如下述步骤：利用纳米压印技术制作出纳米级的Mesh图形，打掉底胶，露出GaN，溅射ITO，去除压印胶，得到图形化ITO Mesh。
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