[发明专利]用于在半导体装置中产生互连的方法有效
申请号: | 201810331694.5 | 申请日: | 2014-03-17 |
公开(公告)号: | CN108695244B | 公开(公告)日: | 2023-01-17 |
发明(设计)人: | 伊斯梅尔·T·埃迈什;罗伊·沙维夫;梅于尔·奈克 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/532 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用于在工件上产生互连的方法,所述方法包括获得具有特征结构的工件基板,在所述特征结构中沉积导电层以部分地或完全地填充所述特征结构,如果所述特征结构由所述导电层部分地填充则沉积铜填充物以完全地填充所述特征结构,施加铜覆盖物,热处理所述工件,以及移除所述覆盖物以暴露所述基板和金属化的特征结构。 | ||
搜索关键词: | 用于 半导体 装置 产生 互连 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于在工件中形成金属化的方法,所述方法包括:在所述工件上电化学沉积第二金属化层,所述工件包括非金属基板和连续的第一金属化层,所述非金属基板具有设置在基板之上的介电层,所述连续的第一金属化层设置在所述介电层上并且具有至少一个微特征结构,所述微特征结构包括凹槽化结构,其中所述第一金属化层至少部分地填充所述工件上的特征结构,此处所述第一金属化层是钴或镍金属层,并且其中所述第二金属化层是与所述第一金属化层的金属不同的钴或镍金属层;在填充所述特征结构之后,电化学沉积金属覆盖层;和退火所述工件以使所述第二金属化层的金属扩散到所述第一金属化层的金属中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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