[发明专利]一种TFT阵列基板的制备方法及TFT阵列基板、显示面板

摘要

本发明实施例提供了一种TFT阵列基板的制备方法，包括在一硬质基板上沉积并形成栅极和栅极扫描线；继续依次沉积栅极绝缘层、有源层和第二金属层；在所述第二金属层上沉积并形成第一光阻层和第二光阻层，所述第一光阻层包括厚度递增的第一阶光阻层、第二阶光阻层和第三阶光阻层，所述第一阶光阻层设于所述第一光阻层的中部并形成一沟道；灰化处理以去除所述第一阶光阻层，并经刻蚀形成源极和漏极；灰化处理以去除所述第二阶光阻层，然后整体沉积钝化保护层；剥离所述第三阶光阻层和所述第二光阻层，并沉积形成像素电极和公共电极。该制备方法采用3mask制备工艺，可简化工艺流程，大幅提高设备产能和利用率。

主权项

1.一种TFT阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：提供一硬质基板，在所述硬质基板上沉积第一金属层，图案化处理形成栅极和栅极扫描线；在所述栅极和栅极扫描线上依次沉积栅极绝缘层、有源层和第二金属层；在所述第二金属层上涂布光阻材料，图案化处理形成第一光阻层和第二光阻层，所述第一光阻层包括第一阶光阻层、第二阶光阻层和第三阶光阻层，所述第二阶光阻层的厚度大于所述第一阶光阻层，所述第三阶光阻层的厚度大于所述第二阶光阻层，所述第一阶光阻层设于所述第一光阻层的中部并形成一沟道，所述第二光阻层的厚度大于所述第二阶光阻层；对所述沟道外侧的未被所述第一光阻层和所述第二光阻层覆盖的所述第二金属层、所述有源层和所述栅极绝缘层进行刻蚀以使所述硬质基板暴露；对所述第一光阻层和所述第二光阻层进行灰化处理，去除所述第一阶光阻层，并经刻蚀形成源极和漏极；对所述第二阶光阻层、所述第三阶光阻层和所述第二光阻层进行灰化处理，去除所述第二阶光阻层，然后整体沉积钝化保护层；剥离所述第三阶光阻层和所述第二光阻层，并沉积透明导电层，图案化处理后形成像素电极和公共电极。