[发明专利]一种基于一维纳米材料的探测方法有效
| 申请号： | 201810343189.2 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108956577B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 杨丰;周维亚;王艳春;解思深 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G01N21/65 | 分类号： | G01N21/65 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 康正德;薛峰 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于一维纳米材料的探测方法，用于探测微纳结构中等离基元的局域电场强度，涉及纳米光学技术领域，其中，探测方法包括：制备微纳结构和一维纳米材料，并使微纳结构和一维纳米材料进行复合；采集微纳结构中一维纳米材料的不同偏振方向的表面增强拉曼光谱，以得到一维纳米材料特征峰的表面增强拉曼光谱强度的偏振依赖关系；根据偏振依赖关系且根据一维纳米材料与微纳结构的位置关系得到局域拉曼增强因子，以得到局域等离基元电场强度。本发明解决了现有技术中的探测局域电场密度的分辨率比较低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 纳米 材料 探测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于一维纳米材料的探测方法，用于探测微纳结构中等离基元的局域电场强度，其中，所述探测方法包括：制备微纳结构和一维纳米材料，并使所述微纳结构和所述一维纳米材料进行复合；采集所述微纳结构中一维纳米材料的不同偏振方向的表面增强拉曼光谱，以得到所述一维纳米材料特征峰的表面增强拉曼光谱强度的偏振依赖关系；根据所述偏振依赖关系且根据所述一维纳米材料与所述微纳结构的位置关系得到局域拉曼增强因子，以得到局域等离基元电场强度。
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