[发明专利]半导体发光器件在审
| 申请号： | 201810343596.3 | 申请日： | 2013-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN108598231A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 全水根;朴恩铉;金勈德 | 申请（专利权）人： | 世迈克琉明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/42;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 吕俊刚;刘久亮 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体发光器件，包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括具有第一半导体层、第二导电性的第二半导体层、以及有源层；向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个的第一电极；向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个的第二电极；以及形成在所述第二半导体层上，用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，且具有分布式布拉格反射器和作为所述不导电反射膜的边缘处的倾斜面的角反射器的不导电反射膜，所述倾斜面对以倾斜角入射在所述不导电反射膜上而向所述分布式布拉格反射器的横向表面传播的光进行反射，所述第一电极和所述第二电极位于所述不导电反射膜上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 不导电 反射膜 分布式布拉格反射器 半导体发光器件 空穴 第二电极 第一电极 衬底 源层 导电性 横向表面 角反射器 顺序生长 生长 边缘处 反射光 入射 反射 传播 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：在生长衬底上顺序生长的多个半导体层，其中所述多个半导体层包括具有第一导电性的第一半导体层、具有不同于所述第一导电性的第二导电性的第二半导体层、以及介于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的经由电子‑空穴复合产生光的有源层；第一电极，所述第一电极向所述第一半导体层提供电子和空穴中的一个；第二电极，所述第二电极向所述第二半导体层提供电子和空穴中的另一个；以及不导电反射膜，所述不导电反射膜形成在所述第二半导体层上，用于从所述有源层向在所述生长衬底侧的所述第一半导体层反射光，且所述不导电反射膜具有分布式布拉格反射器和作为所述不导电反射膜的边缘处的倾斜面的角反射器，所述倾斜面对以倾斜角入射在所述不导电反射膜上而向所述分布式布拉格反射器的横向表面传播的光进行反射，所述第一电极和所述第二电极位于所述不导电反射膜上。
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