[发明专利]一种SOI基底及SOI基底的形成方法在审
| 申请号： | 201810343690.9 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108682661A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 陈达;罗海龙;李伟;叶菲;张俊龙 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 张清芳 |
| 地址： | 315803 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 公开了一种SOI基底及SOI基底的形成方法。该SOI基底包括底层硅、位于所述底层硅上的埋氧层、位于所述埋氧层上的顶层硅，所述埋氧层包括至少一个顶部开口的槽，所述槽底部的埋氧层厚度大于等于零，小于设定值；所述槽中填充有导热材料，且所述导热材料与所述顶层硅绝缘设置。本发明在埋氧层中引入具有高热导率的导热材料，促进了埋氧层的热传导，解决了SOI结构的自加热问题，因此本发明的SOI基底具有更好的散热性能。 | ||
| 搜索关键词： | 埋氧层 基底 导热材料 底层硅 顶层硅 顶部开口 高热导率 绝缘设置 散热性能 热传导 自加热 填充 引入 | ||
【主权项】：
1.一种SOI基底，包括底层硅、位于所述底层硅上的埋氧层、位于所述埋氧层上的顶层硅，其特征在于，所述埋氧层包括至少一个顶部开口的槽，所述槽底部的埋氧层厚度大于等于零，小于设定值；所述槽中填充有导热材料，且所述导热材料与所述顶层硅绝缘设置。
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