[发明专利]一种晶元切割扩张保护膜及其制作方法在审
| 申请号： | 201810344064.1 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108587501A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 洪立志 | 申请（专利权）人： | 东莞市航达电子有限公司 |
| 主分类号： | C09J7/24 | 分类号： | C09J7/24;C09J7/40;C09J7/30;C09J4/02 |
| 代理公司： | 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 | 代理人： | 罗晓聪 |
| 地址： | 523000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶元切割扩张保护膜的制作方法。该保护膜包括：基材层以及分别涂布于基材层正反两面的离型层和粘合层，所述的基材层采用PVC薄膜；所述的离型层采用石蜡型离型剂；所述的粘合层采用亚克力胶。保护膜的制作方法包括以下步骤：步骤一，采用PVC薄膜作为基材层；步骤二，采用微凹涂布方式在基材层的正面涂布形成离型层；步骤三，采用转印涂布的方式在基材层的反面涂布形成粘合层。本发明粘合层可随基材层扩张而延伸，不会出现龟裂。同时，扩展过程中晶粒能随保护膜的扩张而均匀分离，也便于机械手取晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 基材层 保护膜 粘合层 离型层 晶粒 种晶 切割 制作 石蜡 反面涂布 涂布方式 亚克力胶 正反两面 正面涂布 机械手 离型剂 龟裂 微凹 转印 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种晶元切割扩张保护膜，该保护膜包括：基材层(1)以及分别涂布于基材层(1)正反两面的离型层(2)和粘合层(3)，其特征在于：所述的基材层(1)采用PVC薄膜；所述的离型层(2)采用石蜡型离型剂；所述的粘合层(3)采用亚克力胶。
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