[发明专利]具有低暗电流的针扎光电二极管在审
| 申请号： | 201810344158.9 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN108649042A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | L·法韦内克;D·迪塔特;F·鲁瓦 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L31/11;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本公开涉及具有低暗电流的针扎光电二极管。一种制造针扎光电二极管的方法，包括：在第二导电类型的衬底上形成将光子转换成电荷的第一导电类型的区域；用第二导电类型的重掺杂绝缘体层涂覆所述区域；和退火以确保从重掺杂绝缘体层的掺杂剂扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 针扎光电二极管 导电类型 绝缘体层 暗电流 退火 第一导电类型 掺杂剂扩散 电荷 重掺杂 光子 衬底 涂覆 掺杂 转换 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造针扎光电二极管的方法，包括：在第二导电类型的衬底上形成第一导电类型的转换区域，所述转换区域被配置成将光子转换成电荷；在所述转换区域上形成所述第二导电类型的浅半导体区域；用掺杂有所述第二导电类型的掺杂剂的重掺杂绝缘体层涂覆所述浅半导体区域，所述浅半导体区域位于所述转换区域与所述重掺杂绝缘体层之间；以及提供从所述重掺杂绝缘体层到所述浅半导体区域的掺杂剂扩散，其中：在用所述重掺杂绝缘体层涂覆所述浅半导体区域之前，所述浅半导体区域被形成在所述转换区域上；以及提供所述掺杂剂扩散包括：在所述浅半导体区域的上部部分中形成所述第二导电类型的扩散层，所述扩散层的掺杂水平高于所述浅半导体区域的掺杂水平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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