[发明专利]一种面向双极型比较器的静电保护电路

摘要

本发明公开了一种面向双极型比较器的静电保护电路，INP是比较器正向输入端，INN是比较器负向输入端，AVDD是正电源，AGND接地。比较器输入级电路由中的NPN型双极晶体管Q1和NPN型双极晶体管Q2、负载电阻R1和负载电阻R2、尾电流源组成；NPN型双极晶体管Q3和NPN型双极晶体管Q4、NPN型双极晶体管Q5和NPN型双极晶体管Q6、二极管D1和二极管D2组成了抗静电保护结构。本发明适用于大多数以NPN型晶体管作为输入对管的比较器电路，灵活性和通用性很强。

主权项

1.一种面向双极型比较器的通用静电保护电路，其特征在于，包括NPN型双极晶体管Q1、NPN型双极晶体管Q2、负载电阻R1、负载电阻R2、正电源AVDD、尾电流源IP、二极管D1、二极管D2、NPN型双极晶体管Q3、NPN型双极晶体管Q4、NPN型双极晶体管Q5和NPN型双极晶体管Q6；其中，NPN型双极晶体管Q1和NPN型双极晶体管Q2的B极分别连接至比较器正向输入端INP和比较器反向输入端INN，NPN型双极晶体管Q1的C极与负载电阻R1的一端相连，NPN型双极晶体管Q2的C极与负载电阻R2的一端相连，负载电阻R1的另一端和负载电阻R2的另一端均与正电源AVDD连接，NPN型双极晶体管Q1和NPN型双极晶体管Q2的E极短接并与尾电流源IP的其中一端相连，尾电流源IP的另一端接地AGND；NPN型双极晶体管Q3的B极与NPN型双极晶体管Q4的B极相连，NPN型双极晶体管Q3的C极与正电源AVDD相连，NPN型双极晶体管Q3的E极分别与NPN型双极晶体管Q4的C极、比较器正向输入端INP以及NPN型双极晶体管Q5的E极相连；NPN型双极晶体管Q4的E极分别与比较器反向输入端INN、NPN型双极晶体管Q6的E极和NPN型双极晶体管Q5的C极相连；NPN型双极晶体管Q6的C极和正电源AVDD相连，NPN型双极晶体管Q6的B极与的NPN型双极晶体管Q5B极相连，二极管D1的正向端与比较器正向输入端INP相连，负向端与正电源AVDD连接；二极管D2的正向端与比较器反向输入端INN相连，负向端与正电源AVDD连接。