[发明专利]一种THM炉及其生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法在审
| 申请号： | 201810347824.4 | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN108660512A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 吴召平;郑伟;胡耀文 | 申请（专利权）人： | 苏州西奇狄材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B13/16;C30B33/02 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215151 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明要求保护一种THM炉及其生长碲化镉或碲锌镉单晶体的方法。本发明在THM炉内，设计了两个THM温度场进行了两次晶体生长，有利于提高晶体质量；一个原位退火温场避免了后退火的再次升温过程，节约能源，同时克服了后退火过程中碲或镉气氛扩散带来的成分不均匀，有利于晶体整体性能的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶体 后退火 碲化镉 碲锌镉 晶体生长 晶体整体 升温过程 原位退火 不均匀 温度场 炉内 温场 扩散 生长 节约 能源 生产 | ||
【主权项】：
1.一种THM炉，其包括设置在炉架内的生长炉体，所述生长炉体竖直安装，在所述生长炉体内部中间加热段设有加热装置，其特征在于，所述的加热装置包括三个加热器,形成生长炉体中间加热段的保温区，三个加热器依次从上到下为:第一加热器,第二加热器,第三加热器,所述三个加热器之间分别间隔一段距离,且第一加热器和第二加热器之间设有一导热装置,第二加热器和第三加热器之间设有一导热装置。
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