[发明专利]冷阱、真空系统和半导体处理设备在审
申请号: | 201810348445.7 | 申请日: | 2018-04-18 |
公开(公告)号: | CN110384945A | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 栾大为 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | B01D8/00 | 分类号: | B01D8/00;H01J37/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;姜春咸 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种冷阱、真空系统和半导体处理设备。冷阱包括壳体,设置有冷却槽,所述冷却槽用于容纳冷却介质;收集管道,安装在所述冷却槽中,所述收集管道具有进气口和排气口,以使得气体经由所述进气口进入所述收集管道并由所述排气口排出;并且,所述收集管道在所述冷却槽中的实际长度大于所述收集管道在所述冷却槽中的投影长度,以增加所述气体在所述收集管道内的驻留长度,以使得所述气体中的副产物沉积在所述收集管道内。气体在经过收集管道时,移动路径变长,移动速率变慢,可以使得气体中的副产物全部或尽可能多地沉积在收集管道内,从而可以使得从排气口所排出的气体中不包含副产物。 | ||
搜索关键词: | 收集管道 冷却槽 冷阱 进气口 半导体处理设备 真空系统 副产物 排气口 副产物沉积 冷却介质 排气口排 移动路径 驻留 沉积 壳体 排出 投影 容纳 移动 | ||
【主权项】:
1.一种冷阱,其特征在于,包括:壳体,设置有冷却槽,所述冷却槽用于容纳冷却介质;收集管道,安装在所述冷却槽中,所述收集管道具有进气口和排气口,以使得气体经由所述进气口进入所述收集管道并由所述排气口排出;并且,所述收集管道在所述冷却槽中的实际长度大于所述收集管道在所述冷却槽中的投影长度,以增加所述气体在所述收集管道内的驻留长度,以使得所述气体中的副产物沉积在所述收集管道内。
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