[发明专利]一种含氚氢同位素气体中氕的去除方法有效

专利信息
申请号: 201810348846.2 申请日: 2018-04-18
公开(公告)号: CN108479393B 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 王伟伟;张玲;陈晓华;夏立东;李海容;张伟光;周晓松 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
主分类号: B01D59/26 分类号: B01D59/26
代理公司: 中国工程物理研究院专利中心 51210 代理人: 翟长明;韩志英
地址: 621999 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种含氚氢同位素气体中氕的去除方法,所述的去除方法包括以下步骤:将钯硅藻土色谱柱冷却至零摄氏度以下,从钯硅藻土色谱柱前端通入含氚氢同位素原料气体,直至小于等于钯硅藻土色谱柱容量的70%后停止;加热钯硅藻土色谱柱,温度小于等于150℃,收集从钯硅藻土色谱柱后端释放的含氚氢同位素产品气,同时收集从钯硅藻土色谱柱前端释放的含氚氢同位素回流气,直至剩余的含氚氢同位素原料气体达到钯硅藻土色谱柱容量的30%后停止;该去除方法利用钯硅藻土色谱柱在负压、常温下实现了氚中少量氕的高效去除,获得了氕含量低于0.3%的氘氚产品气,氘氚提取率高于90%。
搜索关键词: 一种 氢同位素 气体 去除 方法
【主权项】:
1.一种含氚氢同位素气体中氕的去除方法,其特征在于,所述的去除方法依次包括以下步骤:a.将钯硅藻土色谱柱冷却至零摄氏度以下,从钯硅藻土色谱柱前端通入含氚氢同位素原料气体,直至小于等于钯硅藻土色谱柱容量的70%后停止;b.加热钯硅藻土色谱柱,温度小于等于150℃,收集从钯硅藻土色谱柱后端释放的含氚氢同位素产品气,同时收集从钯硅藻土色谱柱前端释放的含氚氢同位素回流气,直至剩余的含氚氢同位素原料气体达到钯硅藻土色谱柱容量的30%后停止;c.再将钯硅藻土色谱柱冷却至零摄氏度以下,将收集的含氚氢同位素回流气从钯硅藻土色谱柱前端通入,再将含氚氢同位素原料气体从钯硅藻土色谱柱的前端通入,直至含氚氢同位素回流气和含氚氢同位素原料气体的总量小于等于钯硅藻土色谱柱容量的70%后停止;d.重复步骤b、c,重复次数达到设定次数后结束循环。
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