[发明专利]一种非易失性铁电随机存储器及制备工艺

摘要

本发明涉及一种非易失性铁电随机存储器及制备工艺，由于通孔填充时形成的表面不平坦，将该层结构与基底层的空间设计结合起来，将铁电电容集成在离通孔较远的金属上，一方面避免通孔表面附近不平坦给铁电电容带来的性能损伤，另一方面又可实现高密度的存储单元设计，该工艺制备的铁电随机存储器，其存储密度高、与CMOS工艺线完全兼容，工艺流程简单，以及在铁电电容集成前不需要平坦化工艺。

主权项

1.一种非易失性铁电随机存储器的制备工艺，步骤为：步骤一：根据传统的CMOS工艺流程完成器件的源、漏、栅极制备，以及多层通孔、层间介质、多层金属的沉积和刻蚀的形成，直至最后一层金属布线形成之前；步骤二：制备铁电电容的金属下电极；步骤三：制备氧化铪基铁电薄膜；步骤四：制备铁电电容的金属上电极；步骤五：金属‑铁电层‑金属电容结构刻蚀，将铁电电容结构集成在离通孔较远、较为平坦的金属板侧边区域；步骤六：钝化层的形成以及最后一层通孔的刻蚀和填充，完成存储单元的制备。